| 型号： | FDMA291P | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Fairchild Semiconductor | 描述： | MOSFET P-CH 20V 6.6A MFET 2X2 |
详细参数 |
数值 |
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| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| FDMA291P PDF |  |
| 产品培训模块 | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图 | MicroFET 2x2, SC-75 Single |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | PowerTrench® |
| FET 型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 6.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 42 毫欧 @ 6.6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 14nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1000pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 900mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装 | 6-MicroFET（2x2） |
| 包装 | 标准包装 |
| 产品目录页面 | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | FDMA291PDKR |